一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用， 向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。
IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
SGMGH-1AACA61+SGDM-1AADA
SGMGV-30A3C61，SGMGV-20A3C61
SJME-08AMB41 SJME-04AMB4C SJME-02AMB4C
SG*-30ADG
SGDM-04ADA，，
SGDV-1R6A0
OEM1.25MX2
BNS 819-99-D-10
S18SP6L,S18SP6LP,S16SP6FF25,S18SP6FF50,S18SP6D,S18SP6DL
T30UIPA/PB,T30UUPA/PB,T30UDPA/PB
D12EP6FV/SP6FV/SP6FP/SP6FPY/SP6FPH/,D12DAB6FV/FP
ABPF753 SKR1MCB1PF753 PN-43652=PN-508385
PLX-403W PLX-403K PLX-30E PLX-30FW-B
EV83000.4KW-90KW220V380V
Kinco FM860-AA-000
MT223T1
YAMATAKE SDC20 C206DA00201
AB40888-313-52
ASM02-84919 REV A
ATLASCOPCO TC52P4240041081
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