通态电压 Uds(on)可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中 Uj1 —— JI结的正向电压，其值为 0.7 ～1V ；
Udr —— 扩展电阻Rdr上的压降；
Roh —— 沟道电阻。
通态电流Ids可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中 Imos —— 流过MOSFET的电流。
由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V 。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)、tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。
IFMPN2593 PN2594 PN2598 PN2599 PN2571
microsonicZWS-25/CU/L2.110.1495/01
1SCA108947R1001 OFAFC3GG500
E2K-C25ME1/C25MY1/X4MF1/X8ME1/X15ME1/F1/Y1
A4 200W MADHT1507E
MDDDT5540003 1.5KW
VT5-W07/VT3-W4M/CA-MP81
PLC FX3G-60/40/24/14/MT/MR/ES-A/DS/ESS/
MT3120A/EMT3070B
MT6050MV/6050IV/6050IP/6050I/510TV/510T
LEVI102A/LEV1700LK/HD070T/AFS777A-N/3070i
PLC FX3UC-96MT/64MT/D/4AD/32MT-LT-2/32MT-LT/32MT/D
PLC FPO-E32T-F/E32T/E32P/E32CT/E16YT/E16X/E16TP
AB. 150，41391-454-01-S1FX
AB 400WASD-B0421-A/ASD-A0421-AB/ECMA-C30804E7
NI PCIe-6351 781048-01 X9
SMCAS4001F-10-3（）
IB IL 400 ELR R-3A 2727378
PSR-SCP-24UC/ESA4/3X1/1X2/B 2963763
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