IGBT栅极—发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。
正式商用的高压大电流IGBT器件至今尚未出现，其电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求，特别是在高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上。目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。与此同时，各大半导体制造加工厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术， 主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
2.2kw220v FVR2.2C11S-2 FVR2.2E11S-2 FVR2.2E11S-7JE
E1S 0.4kw 220v FRN0.4E1S-2JSF
G11S 380v
OP73 micro s7-200 6AV6640 6AV6 640-0BA11-0AX0
2094-BM02-S，。
TRD-J200-RZV TRD-J360-RZV ，
6FX3002-5CL11-1CA0/20
HANYOUNG DX4-KSSNR(ksc1613)
HYP-18S5PAF 18S5NCF 18S5PCF 18S5TAF 18S5NAF
MD320ME320L MT152KZ
IS300CPU//CPU S3T113CU1/S3T113CU3
MD280/ MTF152KZ1
MD310 MJT222BKZ1/MLT222BKZ1
MT153GB2QD2 7.5KW/11KW/15KW
IS SV 660 620 630 PS AS CS NS 1R6I 2R8I 5R5I-LW ES C
GT/GT2OP-77678
VIPA 972-0DP10972-0DP20 972-0DP01 972-0DP30
3RT1034/1035-1A..0/1036-1AL20/1AP00/1AB00/1AF00/1AN20
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