专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器,热管理电动压缩机驱动器,射频电源,PET电力电子变压器,氢燃料空压机驱动,大功率工业电源,工商业储能变流器,变频器,变桨伺服驱动辅助电源,高频逆变焊机,高频伺服驱动,AI服务器电源,算力电源,数据中心电源,机房UPS等领域与客户战略合作,全力支持中国电力电子工业发展!
基本半导体隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片,输出拉灌峰值电流典型值4A/6A,绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;低传输延时至45ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD21520M提供禁用管脚(DIS)和死区设置(DT),BTD21520S提供禁用管脚(DIS), BTD21520E 提供单一PWM输入;副边VDD欠压保护点两种可选:分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款单通道隔离门极驱动IC,输出峰值电流典型值10A, 绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装,3000Vrms@SOP8封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;传输延时低至60ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD5350M 提供门极米勒钳位功能,BTD5350S 提供独立的开通和关断输出管脚,BTD5350E 对副边的正电源配置欠压保护功能;副边VCC欠压保护点两种可选:分别是8V和11V。主要规格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片,采用磁隔离技术;绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装;输出峰值电流典型值15A;管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能,集成原副边电源欠压保护;集成副边电源稳压器功能,此稳压器可以根据副边电源输入电压,使驱动管脚自动分配正负压,适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅 MOSFET驱动。BTL2752x 系列是一款双通道、高速、低边门极驱动器,输出侧采用轨到轨方式;拉电流与灌电流能力可高达 5A,上升和下降时间低至 7ns 与 6ns;芯片的两个通道可并联使用,以增强驱动电流能力;信号输入脚好大可抗-5V的持续负压,支持4个标准逻辑选项:BTL27523带使能双路反相,BTL27523B不带使能双路反相 和 BTL27524带使能双路同相,BTL27524B不带使能双路同相。主要规格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR
专业分销基本半导体全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,光储碳化硅MOSFET。