深圳市明佳达电子有限公司

IXFK26N90和IXFK24N100晶体管产品
IXFK26N90详细参数值：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：240nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10800pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：560W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 13A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-264AA（IXFK）

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

IXFK24N100详细参数值：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：267nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：8700pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：560W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：390 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-264AA（IXFK）

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

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