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DAWNCAP电容选用高品质的金属化薄膜作为原材料，采用最新的设计理念和制造加工工艺，性能具有高频、大电流、高脉冲的特点；所有产品都经过先进的电流能力（dv/dt)检测设备检测出厂，具备高可靠性。
主要应用领域有：高频开关电源、变频器、UPS/EPS、感应加热电源、逆变焊机、电镀电源、逆变电源，混合动力汽车...
DTM系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
高性价比，广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、大功率转换、逆变焊机、
风力发电等行业的“across-the-bus”功率线路设计
电压等级： 700V-3000Vdc
容量：0.047uF-5.6uF
DTC系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
电压等级分别为
700，850，1200，1500，2000，2500，3000Vdc
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。
DTS系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，高频谐振线路。
DTR系列 高频、高脉冲电容器
缓冲线路，可控硅整流线路，开关电源保护线路。
IGBT，MOSFET突波吸收
高电压，高脉冲，高du/dt
DTS系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
高纹波电流，中高du/dv以及高过压能力。
DTSTS系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
高纹波电流，中高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，高频谐振线路。
DTF系列 IGBT突波吸收电容
内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗， 高纹波电流，高过压能力。
高性价比，广泛应用于电机驱动、牵引、混