LPCVD产品应用:用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂(如PSG或BPSG等)
LPCVD产品特点:
◆工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器,操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染(管路均采用EP级电抛光管),流量控制采用进口质量流量计(MFC)
◆工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高,温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体,确保恒温区的高稳定性及长寿命
LPCVD主要技术指标:
◆工作温度:300~1000℃
◆适应硅片尺寸:2~6英寸
◆装片数量:30~100片/管
◆工艺管数量:1~3管(可选择)
◆恒温区长度: 760mm±1℃(热壁式,可形成温度梯度)
◆极限真空度: 8.0× 10 -1 Pa(约6.0× 10 -3Torr)
◆工作真空度: 10 ~ 1000Pa可调
◆淀积膜均匀性:片内≤±5%
◆控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机(WINDOWS 系统界面,操作方便简洁)
◆气源系统:进口阀管件、自动轨道焊接
欢迎索取相应详尽的技术资料及共研相应项目的解决方案。