铁电存储器FRAM与其他内存的比较:FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
功能比较
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FRAM | EEPROM | FLASH | SRAM |
内存类型 | 非挥发性 | 非挥发性 | 非挥发性 | 易挥发的 |
写法 | 覆盖 | 擦除 + 写入 | 擦除 + 写入 | 覆盖 |
写周期时间 | 150ns | 5ms | 10µs | 55ns |
读/写周期 | 1013 | 106 | 105 | 无限 |
升压电路 | No | Yes | Yes | No |
数据备份电池 | No | No | No | Yes |
串行FRAM与EEPROM/闪存
与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势;
性能改进
由于写入速度快,即使在突然断电的情况下,铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通过使用FRAM,可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。
总之,FRAM是;
·能够在突然断电时以写入方式存储数据
·可以进行频繁的数据记录
·能够延长电池供电设备的电池寿命
总成本降低
在工厂对每个产品进行参数写入的情况下,铁电存储器有助于降低制造成本,因为与EEPROM和闪存相比,FRAM可以缩短写入时间。此外,FRAM可以给您一个芯片解决方案,而不是多芯片解决方案,例如2个芯片由EEPROM+Flash组成,或者3个设备由EEPROM+SRAM+电池组成。
·缩短出厂参数写入时间
·减少好终产品中使用的零件数量
并行FRAM与SRAM
具有并行接口的铁电存储器,兼容电池备份SRAM,可以替代SRAM。通过将SRAM替换为FRAM,客户希望获得以下优势。
总成本降低
使用SRAM的系统需要保持电池状态检查。通过更换为FRAM,客户可以从电池检查的维护负担中解脱出来。此外,FRAM不需要SRAM所需的电池插座和防回流二极管及其空间。FRAM的单芯片解决方案可以减少空间和成本。
·免维护;无需更换电池
·设备小型化;可以减少好终产品的许多零件
环保产品
废旧电池成为工业废弃物。通过用FRAM替换SRAM+电池,可以减少不必要的备用电池。
公司名称:厦门阿米控技术有限公司
联系人:徐亚婷(徐工)
电话:0592-5087595
手机:180-2077-6785微信同号
邮箱:2851195472@qq.com
公司主营产品:DCS集散式控制系统、PLC、数控系统、
(CPU、板卡、模块、卡件.触摸屏、控制器、伺服驱动、工作站、驱动器、
马达、 内存卡、 电源,机器人备件等)各类工控产品
公司的优势产品有:A-B、艾伦布拉德利、英维思、贝加莱、横河、美尔托、西门子、普罗索芙特、通用电气、西屋、伍德沃德、巴赫曼、施耐德、艾默生、摩托罗拉、黑马、摩尔、博世力士乐、等各大品牌的DCS系统配件,机器人系统配件,大型伺服系统备件。(进口原装,停产配件)
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