电源芯片的内部全部单元模块，BUCK结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动，并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管，实现稳压或者恒流输出。这是一个非同步模式电源，即续流器件为外部二极管，而不是内部MOS管。
类似于板级电路设计的基准电源，芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，因为这个电压值和硅的带隙电压相近，因此被称为带隙基准。这个值为1.2V左右，如下图的一种结构：
这里要回到课本讲公式，PN结的电流和电压公式：
可以看出是指数关系，Is是反向饱和漏电流(即PN结因为少子漂移造成的漏电流)。这个电流和PN结的面积成正比!即Is->S。
如此就可以推导出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !
由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3和M4的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比!由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3和M4的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比!
这样我们好后得到基准Vref=I2*R2+Vbe2，关键点：I1是正温度系数的，而Vbe是负温度系数的，再通过N值调节一下，可是实现很好的温度补偿!得到稳定的基准电压。N一般业界按照8设计，要想实现零温度系 数，根据公式推算出Vref=Vbe2+17.2*VT，所以大概在1.2V左右的，目前在低压领域可以实现小于1V的基准，而且除了温度系数还有电源纹波抑制PSRR等问题，限于水平没法深入了。我们知道开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管，那么自然需要产生振荡的模块，原理很简单，就是利用电容的充放电形成锯齿波和比较器来生成占空比可调的方波。
这里的其他模块电路是为了保证芯片能够正常和可靠的工作，虽然不是原理的核心，却实实在在的在芯片的设计中占据重要位置。
MP377 INOX 15 Touch 6AV6 644 6AV6644-0CB01-2AX0
MR-J2S-10A1 10B1 20A1 20B1
S120CF 6SL3054-0EH00-1BA0
TP270-6 6AV6545-0CA10-0AX0 +
H1000 3.7kw/2.2kw CIMR-HB4A0009FBC
SGDM-01BDA
LM1-PP 7.5-4/SA537054-03
AB2094-BC01-M01-S 6KW/9A
C200HW-MC402-E CS1D-CPU44S/CPU45S/CPU65S
E6B2-CWZ6C 5000P/R
8UP28UF26SL32101KE118UB2
A2ASCPU-S30 AJ71AT21B AY72 A0J2R25 A172SHCPUN
55kw 380v ATV610D55N4
MSM022AAA
MHMD022P1C /MHMD022P1U 200W
VFD022M43B 220V 380V
】VFD015B43B 380 1.5KW
p+f CBN5-F46-E0
FWM-1612XBS-C
KOYO TRD-N50-RZL ，
6AV6 647-0AJ11-3AX0 KP4006AV6647-0AJ11-3AX0
6EP6EP1336-3BA10/3BA1O24V20A
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