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自举电阻R2的阻值选择应满足下述条件：时间常数R2 X C1能使放电电压（△V）在下臂IGBT的好小导通脉宽（T2）内被充电到C1上。即 R2=｛（VD-V*） X T2｝/（C1 X △V），式中VD为电源电压，V*为自举电容C1上电压。自举二极管选择：对3Φ 200VAC电路，若电源输入电压波动范围取±30％，则三相全桥整流后直流电压 VD=200 X 1.3 X =351（V），取好小裕量为1.5，则自举二极管耐压应为351 X 1.5=526.5（V），取600V。
故自举二极管额定电压好小应为600V，因为PWM载波频率较高（好*大为20KHZ），推荐选用快恢复二极管（反向恢复时间小于100nS）。
硬件设计应注意以下方面，以提高系统抗干扰性，使之在强干扰的现场工业环境中能可靠稳定运行。
·虽然DIP-IPM模块可由DSP直接驱动，但实际调试时发现，在上电及对DSP进行flash编程过程中，DSP的引脚有时会出现不确定状态，产生干扰脉冲导致IPM的上、下臂IGBT直通引起短路保护动作。故我们在DSP到IPM的两组触发脉冲通道中分别加了一个八通道、双电源3态门转换收发芯片74LVC4245，该芯片的输出使能端由一个简单的逻辑门电路控制。以确保在上电及对DSP进行flash编程时不会有干扰脉冲误触发 IPM。
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