KRi 射频离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸好小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
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型号 |
RFICP 40 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
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离子束流 |
>100 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
4 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
12.7 cm |
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直径 |
13.5 cm |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
KRi 射频离子源典型应用：
预清洗 PC
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRi 射频离子源 RFICP 40 客户案例：
安装于 e-beam 电子束蒸发系统, 进行 IBAD 辅助镀膜 (玻璃上镀反射涂层).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发制造加工宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
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