KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数
通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.
型号 |
KDC 75 / KDC 75L(低电流输出) |
供电 |
DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 |
2 |
- 阳极电压 |
0-100V DC |
电子束 |
OptiBeam™ |
- 栅极 |
专用, 自对准 |
-栅极直径 |
7.5 cm |
中和器 |
灯丝 |
电源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
配置 |
- |
- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安装 |
移动或快速法兰 |
- 高度 |
7.9' |
- 直径 |
5.5' |
- 离子束 |
聚焦 |
-加工材料 |
金属 |
-工艺气体 |
惰性 |
-安装距离 |
6-24” |
- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积
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