1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发制造加工宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
KRi 离子源原子水平上在材料表面沉积薄膜
KRi 离子源离子*系列产品融合一系列等离子技术, 主要分为以下几类：
无栅式端部霍尔离子源 eh
霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
霍尔离子源主要型号
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型号 |
eH400 |
eH1000 |
eH2000 |
eH3000 |
eH Linear |
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中和器 |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F |
|
阳极电压 |
50-300 V |
50-300 V |
50-300 V |
50-250 V |
50-300 V |
|
离子束流 |
5A |
10A |
10A |
20A |
根据实际应用 |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
气体流量 |
2-25 sccm |
2-50 sccm |
2-75 sccm |
5-100 sccm |
根据实际应用 |
|
本体高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
根据实际应用 |
|
直径 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
根据实际应用 |
|
水冷 |
可选 |
可选 |
是 |
可选 |
根据实际应用 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP
美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源 RFICP 主要型号
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
|
Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
||||
有栅极离子源 KDC
美国原装进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 磁控溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.
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型号 |
KDC 10 |
KDC 40 |
KDC 75 |
KDC 100 |
KDC 160 |
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Discharge 阳极 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
|
离子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直径 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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电源与控制器
可操作不同种类的离子, 等离子以及电子源. 这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳, 连续的电源.
电子源与离子源离子*中和器
这些电子源低能量, 高电流源. 它们一般应用于中和剂或阴极材料, 以便控制离子源与等离子源的产量.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发制造加工考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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上海伯东: 罗小姐 台湾伯东: 王小姐
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